[发明专利]一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201110063328.4 | 申请日： | 2011-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102169960A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 黄永安;尹周平;陈建魁;布宁斌;王小梅;段永青 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法，包括：（1）准备可弯曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡胶基板表面涂覆粘合剂；（3）在所述基板上沉积栅极；（4）在经步骤（3）处理后的器件上沉积有机介电层单元；（5）在所述有机介电层单元上分别沉积源极单元层和漏极单元层；（6）基板松弛，释放作用在基板上的载荷，并进行热处理，以消除界面应力和器件的压应力；（7）沉积有机半导体层单元。本方法通过一种机械拉伸基板的方法减小器件的沟道宽度，有效提高了制造精度，提升了柔性电子器件的分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 电子器件 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：（1）准备可弯曲和拉伸的基板（4）；（2）拉伸所述基板（4），并在拉伸后的基板（4）表面涂覆粘合剂，其中所述粘合剂的玻璃态转化温度低于所述基板（4）的玻璃态转化温度；（3）在所述基板（4）上沉积栅极（6）；（4）在经步骤（3）处理后的器件上沉积有机介电层单元（7）；（5）在所述有机介电层单元（7）上分别沉积源极单元层（11）和漏极单元层（12）；（6）基板松弛，释放作用在基板上的载荷，并进行热处理，以消除界面应力和器件的压应力，其中所述热处理温度控制在橡胶基板玻璃态转化温度和粘合剂玻璃态转化温度之间的范围内；（7）沉积有机半导体层单元（10）；通过上述过程，即完成柔性电子器件薄膜晶体管的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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