[发明专利]金属栅极结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201110063912.X | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102683397A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杨建伦;许启茂;吴俊元;郑子铭;邹世芳;林进富;黄信富;蔡旻錞 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属栅极结构及其制作方法，该制作方法包括：首先提供基底，且该基底上依序形成有高介电常数栅极介电层与底部阻障层。接下来于该基底上形成功函数金属层，最后对该功函数金属层同位进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅极结构，包括：高介电常数栅极介电层；底部阻障层，设置于该高介电常数栅极介电层上；三铝化钛功函数金属层，设置于该底部阻障层上；顶部阻障层，设置于该三铝化钛功函数金属层上；以及低阻抗金属层，设置于该顶部阻障层上。
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