[发明专利]阻气性薄膜以及使用此阻气性薄膜的有机元件无效
| 申请号： | 201110064164.7 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102234787A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 东和文;上野智子;铃木正康;小西善之;石田进一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社岛津制作所 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/44;H01L23/29;H01L51/00;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种阻气性薄膜以及使用此阻气性薄膜的有机元件，其提供一种SiNx膜的阻障膜，其能够在低工艺温度下形成，具有高水蒸气阻障性和高透光性，且能够用于塑料基板等的由可挠性的有机材料构成的基板的密封。使用表面波等离子体CVD装置，形成由表示氮N与硅Si的原子比率的比率N/(Si+N)介于0.60至0.65之间的氮化硅(SiNx)构成的阻障膜。 | ||
| 搜索关键词： | 气性 薄膜 以及 使用 有机 元件 | ||
【主权项】：
一种阻障膜，由氮化硅构成，其特征在于，表示氮N与硅Si的原子比率的比率N/(Si+N)介于0.60至0.65之间。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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