[发明专利]光刻胶的涂布方法有效
| 申请号： | 201110064194.8 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102169292A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 姚树歆;胡红梅 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶的涂布方法，包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片的正面喷洒TMAH溶液；在所述半导体晶片的正面涂布光刻胶层。通过本发明提供的光刻胶的涂布方法，能中和半导体晶片正面的酸性，从而避免后续进行光刻胶的曝光显影等工艺后，光刻胶出现底部切角的问题，进一步地，提高了半导体晶片的工艺精度。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶的涂布方法，其特征在于，包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片的正面喷洒TMAH溶液；在所述半导体晶片的正面涂布光刻胶层。
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