[发明专利]探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110064206.7 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102169919A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;李铭;周炜捷 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L27/14;G01J5/10;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种探测器及其制造方法，所述探测器包括：硅衬底；位于硅衬底上的顶层金属层；位于顶层金属层上的顶层通孔层；位于顶层通孔层上的金属功能层；位于金属功能层上的牺牲层；位于牺牲层表面的释放保护层和敏感材料层；位于敏感材料层表面的接触孔以及金属电极；位于金属电极表面的释放保护层；以及位于顶层金属层中的PAD图像；其中，所述PAD图像不被顶层通孔层、金属功能层以及牺牲层覆盖，并且，通过控制金属功能层的厚度以实现对硅片表面图形平整度的控制。本发明将标准CMOS工艺引入探测器工艺中，实现了CMOS工艺与MEMS工艺的兼容，并有效改善了探测器的平整度，大大降低了成本，提高了探测器的性能、成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种探测器，包括：硅衬底；位于所述硅衬底上的顶层金属层；位于所述顶层金属层上的顶层通孔层；位于所述顶层通孔层上的金属功能层；位于所述金属功能层上的牺牲层；位于所述牺牲层表面的释放保护层和敏感材料层；位于所述敏感材料层表面的接触孔以及金属电极；位于所述金属电极表面的释放保护层；以及位于所述顶层金属层中的PAD图像；其中，所述PAD图像不被顶层通孔层、金属功能层以及牺牲层覆盖，并且，通过控制所述金属功能层的厚度以实现对硅片表面图形平整度的控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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