[发明专利]提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用

摘要

一种提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用。该微纳米结构由阵列排布的多个多边形图形单元组成，每一图形单元包括多条彼此孤立的条状微纳米凸起脊，每一凸起脊对应于多边形的一边，且相邻凸起脊之间由平面结构连接；该凸起脊的两端面为曲面，其纵向截面为曲边形结构，该曲边形包括于垂直方向上分布的顶点和底边，该顶点与底边的两个端点之间分别由两条曲线连接。该微纳米结构适于制备发光二极管和用于生长GaN基材料。本发明可以将外延生长时的位错缺陷分布在条状凸起脊的顶部上，消除了外延生长过程中的位错集中，避免出现局部高位错密度缺陷区，提高了LED器件的抗静电击穿能力和寿命，同时凸起脊结构还有利于提高LED的取光效率。

主权项

一种提高GaN外延材料质量的微纳米结构，其特征在于，所述微纳米结构由阵列排布的复数个多边形图形单元组成，每一图形单元包括复数条彼此孤立的条状微纳米凸起脊，其中每一凸起脊对应于多边形的一边，且相邻凸起脊之间由平面结构连接；所述多边形为三角形或六边形，若为三角形，则其任一顶点和与该顶点相对边之间的间距为0.5～15μm，若为六边形，则其相互平行的两条边之间的间距为0.5～15μm；所述凸起脊的长度为0.4～15μm，其两端为曲面，且其纵向截面为曲边形结构，该曲边形包括于垂直方向上分布的一顶点和一底边，该顶点与底边的两个端点之间分别由两条曲线连接。