[发明专利]超长半导体纳米线结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110064599.1 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102169889A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;张世理;朱志炜;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超长半导体纳米线结构，所述超长半导体纳米线结构的宽度间隔地加宽，从而可防止所述超长半导体纳米线结构断裂；同时，本发明还公开了一种超长半导体纳米线结构的制备方法，该方法通过光刻及刻蚀，形成宽度间隔加宽的超长半导体纳米线结构，由于所述超长半导体纳米线结构的宽度间隔地加宽，从而可防止在刻蚀过程中造成所述超长半导体纳米线结构断裂，有利于形成超长超细的半导体纳米线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 超长 半导体 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超长半导体纳米线结构，其特征在于，包括超长半导体纳米线以及凸块，所述凸块对称地设置在所述超长半导体纳米线两侧，增加所述超长半导体纳米线的宽度，且所述超长半导体纳米线同一侧的凸块间隔设置。
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