[发明专利]固体成像器件

摘要

本发明公开了一种固体成像器件。固体成像器件的各像素(10)具备：第1半导体层(1)；第2导电型的第2半导体层(2)；在第2半导体层(2)的上部侧面区域形成为不与第2半导体层(2)的上表面相接的第3半导体层(5a、5b)及第4半导体层(6a、6b)；形成于第2半导体层(2)的下部侧面区域的栅极导体层(4a、4b)；间隔绝缘膜(3a、3b)而形成于第4半导体(6a、6b)层的侧面的导体电极(7a、7b)；及形成于第2半导体层(2)的上表面的第5半导体层(8)；至少第3半导体层(5a、5b)、第2半导体层(2)的上部区域、第4半导体层(6a、6b)、第5半导体层(8)形成于岛状形状内。此外，将既定电压施加于导体电极(7a、7b)以使空穴蓄积于第4半导体层(6a、6b)的表面。

主权项

一种固体成像器件，其特征在于，具有1个或多个像素(10)，所述像素(10)分别具有：第1半导体层(1)，形成于衬底上；第2半导体层(2)，形成在所述第1半导体层(1)上；第4半导体层(6a、6b)，从所述第2半导体层(2)的上表面离开而形成于所述第2半导体层(2)的上部侧面区域；第3半导体层(5a、5b)，从所述第2半导体层(2)的上表面离开而形成于所述第4半导体层(6a、6b)的内侧面与所述第2半导体层(2)之间；第1绝缘膜(3a、3b)，至少形成于所述第2半导体层(2)的侧面与所述第4半导体层(6a、6b)的外侧面；栅极导体层(4a、4b)，间隔所述第1绝缘膜(3a、3b)而形成于所述第2半导体层(2)的侧面中未形成有所述第3半导体层(5a、5b)的下部侧面；导体电极(7a、7b)，间隔所述第1绝缘膜(3a、3b)而形成于所述第4半导体层(6a、6b)的外侧面；及第5半导体层(8)，以不与所述第3半导体层(5a、5b)及所述第4半导体层(6a、6b)相接的方式形成于所述第2半导体层(2)的上表面；至少所述第3半导体层(5a、5b)、所述第2半导体层(2)中的形成有所述第3半导体层(5a、5b)的上部区域、所述第4半导体层(6a、6b)、及所述第5半导体层(8)形成于岛状形状内；所述第3半导体层(5a、5b)与所述第3半导体层(5a、5b)附近的所述第2半导体层(2)形成二极管(112)；形成以所述第1半导体层(1)附近的所述第2半导体层(2)及所述第5半导体层(8)的任一者作为漏极、另一方作为源极、且将所述二极管作为栅极的接合晶体管；形成以所述第1半导体层(1)作为漏极、所述第3半导体层(5a、5b)作为源极、所述栅极导体层(4a、4b)作为栅极的场效应晶体管(111)；且具备：蓄积手段，将因为电磁能量波的照射而在所述像素(10)内产生的信号电荷蓄积于所述二极管(112)；信号读取手段，通过测量依据流通于所述接合晶体管并且蓄积于所述二极管(112)的信号电荷的量而变化的电流来测量所述信号电荷的量；及复位手段，将导通电压施加于所述场效应晶体管(111)的所述栅极导体层(4a、4b)，且在包含所述第1半导体层(1)与所述第3半导体层(5a、5b)之间的所述第2半导体层(2)的区域形成沟道，借此将蓄积于所述二极管(112)的信号电荷予以去除至所述第1半导体层(1)；将电压施加于所述导体电极(7a、7b)，以使与蓄积于所述二极管(112)的信号电荷相反极性的电荷蓄积于所述第4半导体层(6a、6b)。