[发明专利]高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺有效
| 申请号： | 201110065272.6 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102176436A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 何新波;杨振亮;吴茂;刘荣军;任淑彬;曲选辉 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 朱元萍 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺，其特征是首先按重量百分比，将10～15%的粘接剂，5～20%的石墨，20～40%的硅粉，30～60%的金刚石颗粒湿混，混合时间16～24h。然后在10～50MPa压力和150℃的温度下温压成形获得复合材料毛坯。在氩气保护气氛中1100℃烧结24h，随炉冷却后得到具有一定强度和孔隙度的Diamond/Si/C多孔基体。然后将气相渗透的渗料置于石墨坩埚中，将所制备的Diamond/Si/C多孔基体置于该石墨坩埚上，然后整体置于高真空烧结炉中进行真空气相渗透1-2h，渗透温度1500～1650℃，真空度-0.08～-0.01MPa。随炉冷却后即可获得致密的Diamond/SiC电子封装材料。本发明是一种周期短、工艺简单、设备要求较低、成本低，并可制备复杂形状致密Diamond/SiC电子封装材料的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 diamond sic 电子 封装 材料 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备方法，其特征在于，所述的高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备方法包括：制备的Diamond/Si/C多孔基体，将气相渗透的渗料纯硅置于石墨坩埚中，将所制备的Diamond/Si/C多孔基体置于该石墨坩埚上，然后整体置于高真空烧结炉中进行真空气相渗透1‑2h，渗透温度1500～1650℃，真空度‑0.08～‑0.01MPa，随炉冷却后即可获得致密的Diamond/SiC电子封装材料。
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