[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法有效
申请号: | 201110065448.8 | 申请日: | 2011-03-14 |
公开(公告)号: | CN102214658A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 车载汉 | 申请(专利权)人: | 美格纳半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/768 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;李娜娜 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明为了提供易于适用于片上系统的非易失性存储装置而提供一种基于逻辑工艺可容易地实现的非易失性存储装置及其制造方法,尤其提供一种包括由具有浮置栅极的晶体管和连接于所述浮置栅极的电容器构成的单位单元的非易失性存储装置,该浮置栅极形成于具有隧道区和沟道区的衬底上,且同时横跨所述隧道区和所述沟道区。根据本发明,以一个晶体管和一个电容器结合的简单结构执行全部的编程操作、擦除操作、读操作和选择操作,因此具有可易于适用于片上系统,且由于基于逻辑工艺,因此可实现低成本工艺和高效率工艺的效果。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种非易失性存储装置,其特征在于包括由具有浮置栅极的晶体管和连接于所述浮置栅极的电容器构成的单位单元,该浮置栅极形成于具有隧道区和沟道区的衬底上,且同时横跨所述隧道区和所述沟道区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的