[发明专利]半导体薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201110065520.7 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102157567A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 傅志敏;王战娥;金弼 | 申请（专利权）人： | 深圳南玻伟光导电膜有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/41;H01L29/43 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体薄膜晶体管，包括基底层、设于基底层上的栅极层、设于栅极层上的铝引线层、设于栅极层及铝引线层上的用于形成源极的导电层，此外，该半导体薄膜晶体管还包括设于基底层与铝引线层之间的抗氧化性金属层，抗氧化性金属层分别与铝引线层及导电层电性接触。通过在基底层上先设置一层抗氧化性金属层，做成图案后，再设置铝引线层，从而之前与铝引线层直接电性接触的导电层变成与抗氧化性金属层直接电性接触，间接形成与铝引线层之间的电性连接，可以有效避免在加工过程中因铝引线层裸露在空气中易被氧化而增加接触电阻的问题，从而可以有效提高半导体薄膜晶体管的驱动能力，延长其使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体薄膜晶体管，包括基底层、设于所述基底层上的栅极层、设于所述栅极层上的铝引线层、设于所述栅极层及所述铝引线层上的用于形成源极的导电层，其特征在于，还包括设于所述基底层与所述铝引线层之间的抗氧化性金属层，所述抗氧化性金属层与所述铝引线层及所述导电层电性接触，所述铝引线层与所述导电层之间绝缘。
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