[发明专利]抛光组合物及利用该组合物的抛光方法有效
| 申请号： | 201110066020.5 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102190963A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 森永均;玉井一诚;浅野宏 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B1/00 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 日本国爱知县清须*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抛光组合物，该抛光组合物至少包含磨粒和水，并且用于对被抛光物体进行抛光。对磨粒进行选择以满足关系X1×Y1≤0和关系X2×Y2＞0，其中X1[mV]代表利用抛光组合物对所述物体进行抛光期间所测量的磨粒的ζ电位，Y1[mV]代表在利用抛光组合物对所述物体进行抛光期间所测量的被抛光物体的ζ电位，X2[mV]代表在抛光后清洗被抛光物体期间所测量的磨粒的ζ电位，Y2[mV]代表在抛光后清洗所述物体期间所测量的该物体的ζ电位。优选地，磨粒是由氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化锆、碳化硅、或者金刚石构成。优选地，被抛光物体是由含镍合金、氧化硅、或者氧化铝构成。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 组合 利用 方法 | ||
【主权项】：
一种抛光组合物，其至少包含磨粒和水，其中在利用所述抛光组合物对被抛光物体进行抛光后，清洗所述抛光后物体以去除附着并残存于所述抛光后物体的抛光面上的磨粒；所述抛光组合物的特征在于：对所述抛光组合物中所包含的所述磨粒进行选择以满足关系X1×Y1≤0和关系X2×Y2＞0，其中X1[mV]代表利用所述抛光组合物对所述物体进行抛光期间所测量的所述磨粒的ζ电位，Y1[mV]代表利用所述抛光组合物对所述物体进行抛光期间所测量的所述物体的ζ电位，X2[mV]代表在清洗所述抛光后物体期间所测量的所述磨粒的ζ电位，Y2[mV]代表在清洗所述抛光后物体期间所测量的所述物体的ζ电位。
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