[发明专利]集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201110066086.4 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102683584A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 吕杭炳;刘明;龙世兵;刘琦;王艳花;牛洁斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/8238;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域，具体是一种集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法。该方法包括：在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后，沉积金属层间介质层；之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开，形成第一层金属布线沟槽，露出钨栓塞；随后生长金属氧化物功能材料、电极材料、扩散阻挡层、仔晶铜以及电镀铜，最后用化学机械抛光一步形成存储单元及第一层金属布线。本发明方法工艺简便，在标准工艺的基础上不需要额外增加光照步骤，成本低，效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 标准 cmos 工艺 金属 氧化物 电阻 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成标准CMOS工艺制备金属氧化物电阻存储器的方法，其特征在于，包括：采用标准CMOS工艺形成钨栓塞；在钨栓塞上依次形成盖帽层、第一介质层和刻蚀阻挡层；在第一介质层需要形成存储器的位置制作出第一层金属布线沟槽；在该第一层金属布线沟槽中生长金属氧化物存储介质；在该第一层金属布线沟槽中的金属氧化物存储介质上生长上电极；在该第一层金属布线沟槽中再依次沉积扩散阻挡层、仔晶铜和电镀铜；采用化学机械抛光方法去除多余的上电极、扩散阻挡层、仔晶铜和电镀铜，同时形成位于所述的第一介质层孔洞中的存储结构和第一层金属布线；采用常规的大马士革铜互连工艺进行后续步骤，完成金属氧化物电阻存储器的制备。
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