[发明专利]提高非挥发性电阻存储器可靠性的方法及结构无效
| 申请号： | 201110066233.8 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102682840A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 刘明;连文泰;龙世兵;吕杭炳;刘琦;李颖弢;张森;王艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 郑瑜生 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高非挥发性电阻存储器可靠性的方法及结构，所述结构包括若干个相同的电阻随机存储器单元，其中所述电阻随机存储器单元之间相并联以组成并联的冗余结构；所述并联的冗余结构的公共电极两端施加有电流激励，以采用电流扫描的方式对所述并联的冗余结构进行编程和/或擦除操作。本发明可以提高非挥发性电阻存储器在嵌入式系统应用中的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 挥发性 电阻 存储器 可靠性 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种提高非挥发性电阻存储器可靠性的方法，其特征在于，将若干个相同的电阻随机存储器单元组成并联的冗余结构，并在所述并联的冗余结构的公共电极两端施加有电流激励，以采用电流扫描的方式对所述并联的冗余结构进行编程和/或擦除操作。
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