[发明专利]nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱太阳电池

摘要

本发明涉及太阳电池，特指一种应用nc-Si:H和SiNx构成超晶格纳米量子阱材料的新型太阳电池，利用纳米硅的带隙可调性和结合多氮化硅的良好势垒特性制备了nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱太阳电池，此种电池的超晶格量子阱材料中，极薄的nc-Si层充当一个封闭载流子的量子阱层，nc-Si:H薄膜光学带隙依次由顶向下形成过渡结构，拓展了太阳电池对光的吸收谱、提高光吸收总量和吸收效率；同时保持第二代薄膜电池低成本优点。

主权项

nc‑Si:H/SiNx超晶格量子阱太阳电池，按入射光线的方向依次包括玻璃衬底、TCO透明电极、p+欧姆接触层、p层、n层、n+欧姆接触层和ZnO/Al背电极，其特征在于：在p层和n层之间沉积有nc‑Si:H/SiNx超晶格量子阱，Nc‑Si和SiNx的厚度通过控制薄膜生长时间进行控制，每层nc‑Si:H或SiNx的厚度控制在9±0.5nm，量子阱周期为45±5。