[发明专利]低欧姆接触的背接触电池的制造方法

摘要

本发明公开了一种低欧姆接触的背接触电池的制造方法，依次包括步骤：硅片测试检验、硅片预清洗、去除损伤层、单面沉积SiN层、单面制作小绒面、在SiN膜侧丝网印刷掩蔽膜、在SiN膜侧刻蚀N+层窗口、正面背面同时扩散N+层并形成磷硅玻璃阻挡层、去除SiN层、P+层扩散并形成钝化SiO2层薄膜、丝网印刷引线孔掩蔽膜、刻蚀引线孔同时去除正面的磷硅玻璃和SiO2层、蒸镀钛薄膜、正面沉积SiN层、丝网印刷正负电极、正负电极烘干烧结、测试分选、入库。采用该方法制造的被接触电池，蒸镀一层钛薄膜降低了被接触电池的接触电阻，提高了电池的转换效率，各个步骤采用常规工艺，便于实施，生产成本低，有利于背接触电池的推广应用。

主权项

一种低欧姆接触的背接触电池的制造方法，其特征在于依次包括步骤：硅片测试检验、硅片预清洗、去除损伤层、单面沉积SiN层、单面制作小绒面、在SiN膜侧丝网印刷掩蔽膜、在SiN膜侧刻蚀N+层窗口、正面背面同时扩散N+层并形成磷硅玻璃阻挡层、去除SiN层、P+层扩散并形成钝化SiO2层薄膜、丝网印刷引线孔掩蔽膜、刻蚀引线孔同时去除正面的磷硅玻璃和SiO2层、蒸镀钛薄膜、正面沉积SiN层、丝网印刷正负电极、正负电极烘干烧结、测试分选、入库。