[发明专利]半导体存储卡及其制造方法有效
申请号: | 201110066778.9 | 申请日: | 2011-03-18 |
公开(公告)号: | CN102386162A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 西山拓 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31;H01L23/00;H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种防止安装于引线框的半导体存储器所存储的数据被破坏的半导体存储卡及其制造方法。本发明的microSD存储卡(10)具备:引线框(1),其形成有芯片安装部、包含电源端子以及信号端子的多个端子部(1b)和宽度比端子部(1b)窄、从各端子部(1b)延伸到卡前端面的多个连接部(1c);NAND(2),其搭载于芯片安装部;和封装树脂(8),其以使得电源端子与信号端子相比在更接近卡前端面的部位露出,并且在卡前端面使多个连接部(1c)露出的方式封装搭载有(NAND2)的引线框(1)。microSD存储卡(10)以使得多个连接部(1c)在卡前端面的露出位置在卡前端面的长度方向上从各信号端子向卡前端面侧延伸的区域错开的方式,使多个连接部(1c)从各端子部(1b)延伸。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体存储卡,其特征在于,包括:引线框,其形成有:存储器搭载部、包含电源端子以及信号端子的多个端子和宽度比该端子窄并从各所述端子延伸到卡前端面的多个连接部;半导体存储器,其被搭载于所述引线框的所述存储器搭载部;和树脂,其以使得所述电源端子与所述信号端子相比在更接近卡前端面的部位露出,并且在所述卡前端面使所述多个连接部露出的方式,封装搭载有所述半导体存储器的引线框;以使得所述多个连接部在卡前端面的露出位置在所述卡前端面的长度方向上从各所述信号端子向所述卡前端面侧延伸的区域错开的方式,使各连接部从所述各端子延伸。
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