[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成有源区，在所述有源区上形成栅堆叠或伪栅堆叠，并在所述栅堆叠或伪栅堆叠两侧形成源极延伸区和漏极延伸区，在所述栅堆叠或伪栅堆叠侧壁形成侧墙，并在所述侧墙和所述栅堆叠或伪栅堆叠外的所述有源区上形成源极和漏极；去除源极侧侧墙的至少一部分，使所述源极侧侧墙的厚度小于漏极侧侧墙的厚度；在所述侧墙和所述栅堆叠或伪栅堆叠外的所述有源区上形成接触层。相应地，本发明还提供一种半导体结构。利于降低源极延伸区的接触电阻，同时还可以降低栅极和漏极延伸区之间的寄生电容。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：/na)提供衬底(100)，在所述衬底(100)上形成有源区，在所述有源区上形成栅堆叠或伪栅堆叠，在所述栅堆叠或伪栅堆叠两侧形成源极延伸区(110a)以及漏极延伸区(110b)，在所述栅堆叠或伪栅堆叠侧壁形成侧墙，以及在所述侧墙和所述栅堆叠或伪栅堆叠外的所述有源区上形成源极(111a)和漏极(111b)；/nb)仅在所述源极侧的有源区的上表面形成第一接触层(112a)，而在所述漏极侧的有源区的上表面没有形成第一接触层；/nc)形成层间介质层(300)，以覆盖所述衬底(100)；/nd)刻蚀所述层间介质层(300)以形成接触孔(310)，所述接触孔(310)至少暴露漏极侧的部分有源区；/ne)在所述部分有源区上形成第二接触层(112b)，所述第二接触层(112b)与栅堆叠的距离大于所述第一接触层(112a)与栅堆叠的距离，所述第二接触层的厚度大于所述第一接触层的厚度。/n