[发明专利]一种掺镓氧化锌薄膜的制备方法及其制备的薄膜和应用有效
| 申请号： | 201110067474.4 | 申请日： | 2011-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102691037A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518052 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种掺镓氧化锌薄膜的制备方法，其方法包括如下步骤：将Ga2O3粉体和ZnO粉体混合，烧结作为GZO靶材，Ga2O3粉体与ZnO粉体的质量比为1/1999～1/99；将GZO靶材装入磁控溅射腔体内，抽真空，设置工作压强为0.2Pa～1.5Pa，惰性气体流量为15sccm～35sccm，GZO层的溅射功率为60W～160W，溅射得掺镓氧化锌薄膜；对上述制得的掺镓氧化锌薄膜进行退火处理，退火气氛为惰性气体和氢气的混合气体，其中，混合气体中氢气的摩尔体积百分含量为5％～30％，退火温度为200℃～600℃。本发明还提供采用此方法获得的掺镓氧化锌薄膜及其在半导体光电器件中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种掺镓氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：将Ga2O3粉体和ZnO粉体混合，烧结作为GZO靶材，所述Ga2O3粉体与所述ZnO粉体的质量比为1/1999～1/99；将所述GZO靶材装入磁控溅射腔体内，抽真空，设置工作压强为0.2Pa～1.5Pa，惰性气体流量为15sccm～35sccm，溅射功率为60W～160W，溅射得掺镓氧化锌薄膜；对上述制得的掺镓氧化锌薄膜进行退火处理，退火气氛为惰性气体和氢气的混合气体，其中，所述混合气体中氢气的摩尔体积百分含量为5％～30％，退火温度为200℃～600℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司，未经海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110067474.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：轴承套圈车加工漏工序检测装置及其检测方法
- 下一篇：方桩模具张拉免拆装头板
- 同类专利
- 专利分类
