[发明专利]基于石墨烯的可编程非易失性电阻型存储器及其制备方法无效
申请号: | 201110067572.8 | 申请日: | 2011-03-21 |
公开(公告)号: | CN102157687A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 李福山;郭太良;吴朝兴;张永爱;叶芸 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明属于半导体存储器技术领域,具体为一种基于石墨烯的可编程非易失性电阻型存储器,包括具有X-Y寻址的布线电极阵列;与布线电极阵列相连且位于同一平面对状电极,对状电极间有微小间隙;电极对间隙分布有连接两电极的石墨烯片。该基于石墨烯的电阻型存储器在直流电压扫描激励下表现出优异的低阻态向高阻态转变特性和记忆特性,其高低电阻态间的差值可达6个数量级,同时具有热辅助可擦除特性。该存储器结构简单,其制备是基于传统的半导体平面制备工艺,能满足大规模工业化生产的要求,制造成本低,存储密度大。 | ||
搜索关键词: | 基于 石墨 可编程 非易失性 电阻 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于石墨烯的可编程非易失性电阻型存储器,包括基板以及设于基板上相互平行排列的复数条数据电极,其特征在于:进一步包括设于所述数据电极上的复数条相互平行排列的寻址电极,所述复数条数据电极和复数条寻址电极相互正交;一介质隔离层设于所述述数据电极和寻址电极之间;一对状电极,设于所述介质隔离层上且分别于所述的数据电极和寻址电极电性连接;一石墨烯片层,覆盖于对状电极表面,用于连接所述对状电极的两极。
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