[发明专利]功率元件封装结构无效
| 申请号： | 201110068111.2 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102569216A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 彭锦星;李明林;赖信助;张慧如 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 祁建国;梁挥 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种功率元件封装结构，是将功率元件封装结构的金属基板作为电容单元的下电极，并于该金属基板上依序设置介电材料层与上金属层，该上金属层为上电极，而该金属基板为下电极，使形成电容单元，简化并整合电容单元于功率元件封装结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 元件 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种功率元件封装结构，其特征在于，包含：金属基板；介电材料层，设置于该金属基板上；至少一功率元件，设置于该金属基板上；以及上金属层，设置于该介电材料层上，其中该上金属层与该介电材料层、该金属基板形成一电容单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院，未经财团法人工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110068111.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：暂停图像传感器中的列寻址
- 下一篇：像素阵列
