[发明专利]互连结构的制作方法有效
| 申请号： | 201110068919.0 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102693934A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 童立峰;汪武平;张春庆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有通孔，所述通孔露出所述半导体衬底；在所述通孔内形成固态的有机保护层，所述固态的有机保护层的厚度小于所述通孔的深度；刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层内形成沟槽，所述沟槽与所述通孔相连通；在所述沟槽形成后，去除所述有机保护层，露出所述半导体衬底；在所述沟槽和通孔内形成互连结构。本发明实施例避免刻蚀所述层间介质层形成沟槽时对所述半导体衬底造成损伤，提高了工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有通孔，所述通孔露出所述半导体衬底；在所述通孔内形成固态的有机保护层，所述固态的有机保护层的厚度小于所述通孔的深度；刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层内形成沟槽，所述沟槽与所述通孔相连通；在所述沟槽形成后，去除所述有机保护层，露出所述半导体衬底；在所述沟槽和通孔内形成互连结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110068919.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
