[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及显示装置有效
| 申请号： | 201110069262.X | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102214697A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 朴钟贤;柳春基;朴鲜;姜镇熙;李律圭 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管的制造方法及一种包括该薄膜晶体管的显示装置。薄膜晶体管包括：基底；多晶硅半导体层，位于基底上；金属图案，位于半导体层和基底之间，金属图案与半导体层绝缘，其中，半导体层的多晶硅包括与晶化生长方向平行的晶界，多晶硅半导体层的表面粗糙度小于大约15nm，多晶硅层的表面粗糙度定义为在多晶硅半导体层的表面中的最低峰与最高峰之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基底；由多晶硅制成的半导体层，位于基底上；金属图案，位于半导体层和基底之间，金属图案与半导体层绝缘，其中，半导体层包括与晶化生长方向平行的晶界，半导体层的表面粗糙度小于15nm，半导体层的表面粗糙度定义为半导体层的表面中的最低峰与最高峰之间的距离。
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