[发明专利]一种LED芯片的制备方法无效
| 申请号： | 201110069368.X | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102157641A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王维昀;周爱新 | 申请（专利权）人： | 东莞市福地电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/44;C23C14/06 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 523082 广东省东莞市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及LED照明灯具技术领域，尤其涉及一种LED芯片的制备方法。本发明所述一种LED芯片的制备方法依次通过蒸镀银薄膜——冷却——银薄膜快速退火——冷却——蒸镀TiO2/SiO2反射层——冷却工序制备LED芯片，按照上述工序制备而成的LED芯片主要利用反射层与蓝宝石基板之间的银颗粒来增大反射层的反射部的粗糙度，进而将有源层发出的光线由镜面反射状态变成漫反射状态并最终增加透出LED芯片的出光面的光线；所以，上述LED芯片的制备方法能够有效地制备出高出光效率以及高亮度的LED芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括有以下步骤：a、将生长有外延片（1）的蓝宝石基板（2）以及作为蒸镀源的银材放入蒸镀机中，利用物理气相沉积法并通过蒸镀机的镀膜装置在蓝宝石基板（2）一侧蒸镀一层银薄膜，该银薄膜位于外延片（1）的相反侧；b、待银薄膜蒸镀完毕后，将银薄膜随蓝宝石基板（2）一并冷却至室温；c、将冷却后的银薄膜随蓝宝石基板（2）一并放入快速退火炉中，设定快速退火炉的退火温度以及退火时间，其中退火温度为300℃‑500℃，退火时间为5min‑20min，通过快速退火炉进行加热处理并对银薄膜进行退火加工，经退火后的银薄膜积聚并形成散布于蓝宝石基板（2）的表面的银颗粒（3）；d、将经退火加工后的银颗粒（3）随蓝宝石基板（2）一并冷却至室温，银颗粒（3）降温并凝结成固态；e、将冷却后的银颗粒（3）随蓝宝石基板（2）一并放入蒸镀机中，利用物理气相沉积法并通过蒸镀机的镀膜装置在银颗粒（3）的表层蒸镀TiO2/SiO2反射层（4）；f、待TiO2/SiO2反射层（4）蒸镀完毕后，将TiO2/SiO2反射层（4）随蓝宝石基板（2）冷却至室温。
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