[发明专利]LED芯片的制作方法

摘要

本发明公开了一种LED芯片的制作方法。其中，移除部分外延层包括以下步骤，在外延层上形成第一掩膜层，第一掩膜层包括多个相互间隔开的掩膜层单元，各掩膜层单元间留有预定大小的第一间隙；移除第一间隙所在区域的第二半导体层，发光层以及部分第一半导体层，以形成凹槽；清除第一掩膜层；重复上述步骤N次，移除部分外延层及缓冲层至基板，各掩膜层单元间留有预定大小的第N间隙，第N间隙的宽度大于第N-1间隙的宽度，形成具有N个台阶的隔离槽，N≥2。应用本发明的技术方案，隔离槽具备较浅的深度、较大的宽度、一定的倾斜角度，有利于绝缘材料的覆盖，金属连接线的附着，解决了金属连接线跨越较深的沟槽时可能造成的断裂问题。

主权项

一种LED芯片的制作方法，包括以下步骤：步骤S10，提供基板，形成缓冲层于所述基板之上；步骤S20，形成外延层于所述缓冲层之上，具体包括以下步骤：步骤S21，形成第一半导体层于所述缓冲层上，步骤S22，形成发光层在所述第一半导体层上，以及步骤S23，形成第二半导体层在所述发光层上；步骤S30，移除部分所述外延层及缓冲层至所述基板，形成隔离槽，所述隔离槽将所述芯片分成多个子芯片；以及步骤S40，在所述外延层上安装电极并完成电极间的电气连接；其特征在于，所述步骤S30，移除部分所述外延层包括以下步骤：步骤S31，在所述外延层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层包括多个相互间隔开的掩膜层单元，各掩膜层单元间留有预定大小的第一间隙；步骤S32，移除所述第一间隙所在区域的所述第二半导体层，发光层以及部分第一半导体层，以形成凹槽；步骤S33，清除所述第一掩膜层；重复所述步骤S30N次，移除部分所述外延层及缓冲层至所述基板，其中步骤S31中，各掩膜层单元间留有预定大小的第N间隙，第N间隙的宽度大于第N‑1间隙的宽度，形成具有N个台阶的隔离槽，N≥2。