[发明专利]ZnO基复合结构倍频材料无效
| 申请号： | 201110070304.1 | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102162967A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 魏志鹏;罗添元;李金华;方铉;方芳;王晓华;崔勇;王菲 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355;G02F1/37 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种ZnO基的复合结构的倍频材料。在该材料结构中，采用量子阱结构提高ZnO材料非线性系数，采用异质结构解决相位匹配问题，获得具有高转换效率的薄膜倍频材料。该薄膜倍频材料转换率高，易于与半导体激光器件集成。 | ||
| 搜索关键词： | zno 复合 结构 倍频 材料 | ||
【主权项】：
一种ZnO基复合结构倍频材料，其特征在于以下结构制备实现：(1)采用量子阱结构提高ZnO非线性光学系数。(2)通过ZnO/SiO2异质结构实现准相位匹配。(3)将ZnO/MgZnO量子阱结构替换ZnO/SiO2结构中的ZnO单层薄膜，获得具有高倍频转换效率的复合结构。
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