[发明专利]半导体装置、其制造方法和设计方法、以及电子装置

摘要

本发明涉及半导体装置、该半导体装置的制造方法和设计方法、以及电子装置。该半导体装置的制造方法包括如下步骤：通过将多个半导体晶片层叠并粘合起来形成含有所述多个半导体晶片的层叠结构，各所述半导体晶片设置有形成于表面侧的布线层且设置有半成品状态的电路；然后对所述层叠结构的上层半导体晶片进行减薄；然后从所述上层半导体晶片形成开口，由此形成连接孔和贯通连接孔，所述连接孔到达形成于所述上层半导体晶片表面侧的配线，所述贯通连接孔穿过所述上层半导体晶片并到达形成于下层半导体晶片表面侧的配线，所述贯通连接孔的直径大于所述连接孔的直径。根据本发明，能够实现高性能，提高生产力，并且降低成本。

主权项

一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括如下步骤：通过将多个半导体晶片层叠并粘合起来，形成含有所述多个半导体晶片的层叠结构，各所述半导体晶片设置有形成于表面侧的布线层且设置有半成品状态的电路；然后对所述层叠结构的上层半导体晶片进行减薄；然后从所述上层半导体晶片形成开口，由此形成连接孔和贯通连接孔，所述连接孔到达形成于所述上层半导体晶片表面侧的配线，所述贯通连接孔穿过所述上层半导体晶片并到达形成于下层半导体晶片表面侧的配线，所述贯通连接孔的直径大于所述连接孔的直径；然后形成所述上层半导体晶片与所述下层半导体晶片间互连线，该互连线是通过在所述连接孔和所述贯通连接孔中埋入导电材料而使层叠起来的所述半导体晶片电连接。