[发明专利]设有锡扩散抑制层的半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110070548.X | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102201389A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 定别当裕康 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，在配线(7)的焊接区上方设有锡扩散抑制层(12)，在该锡扩散抑制层(12)上方设有焊球(13)。从而，即使该半导体装置为处理大电流的电源IC等，也能够通过锡扩散抑制层(12)的存在而进一步抑制焊球(13)中的锡向配线(7)扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 设有 扩散 抑制 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，具有连接焊盘；配线，连接于所述连接焊盘；锡扩散抑制层，含有焊料，设置于所述配线的上方；和焊料凸块，设置于所述锡扩散抑制层上，所述锡扩散抑制层的熔点比所述焊料凸块的熔点高。
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