[发明专利]一种抛光装置及晶片抛光方法无效
| 申请号： | 201110070602.0 | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102689266A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 邓武锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/24;B24B37/013;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种抛光装置及晶片抛光方法，包括研磨机台，在所述研磨机台上依次安置四个抛光垫，分别为第一抛光垫，第二抛光垫，第三抛光垫及第四抛光垫，在所述第三抛光垫与第四抛光垫之间安置特征尺寸测控反馈单元，以测量所述晶片的特征尺寸，计算出精准的抛光参数并反馈至所述第四抛光垫。本发明在第三抛光垫之后设置特征尺寸测控反馈单元和第四抛光垫，通过特征尺寸测控反馈单元对第三抛光垫抛光之后的晶片金属电路的特征尺寸进行测量，进而修整并设定第四抛光垫抛光的精准时间及压力等参数，在抛光过程中就现了晶片特征尺寸的监控测量，节约了抛光时间和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 装置 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种抛光装置，其特征在于，包括研磨机台，在所述研磨机台上依次安置四个抛光垫，分别为第一抛光垫，第二抛光垫，第三抛光垫及第四抛光垫，在所述第三抛光垫与第四抛光垫之间安置特征尺寸测控反馈单元，以测量所述第三抛光垫抛光后的晶片的特征尺寸，计算出精准的抛光参数并反馈至所述第四抛光垫。
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