[发明专利]避免产生双晶的晶圆劈裂方法无效
申请号: | 201110071121.1 | 申请日: | 2011-03-23 |
公开(公告)号: | CN102693940A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 陈孟端 | 申请(专利权)人: | 正恩科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B28D5/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明为一种避免产生双晶的晶圆劈裂方法,其步骤包含预备一待劈裂的晶圆与预备一劈裂装置,该晶圆上设有多个供该劈裂装置劈断且垂直相交的激光切割线,该劈裂装置包含一劈刀、一工作台与两个相对移动的劈裂台,该晶圆置于该工作台与该两个劈裂台上,该劈刀正对该两个劈裂台的间隙;接着为执行劈裂作业,通过该劈刀对该激光切割线进行劈裂动作,且在该劈刀对该多个激光切割线的任一个劈裂后,使该劈裂装置选择是否改变该两个劈裂台的间隙;据而该劈刀每次劈裂时,皆可依据劈裂的顺序而设定改变该两个劈裂台的间隙,以使该劈刀确实劈断该晶圆,避免晶粒产生双晶现象,而提升工艺优良率。 | ||
搜索关键词: | 避免 产生 双晶 劈裂 方法 | ||
【主权项】:
一种避免产生双晶的晶圆劈裂方法,其特征在于,包含以下步骤:预备一待劈裂的晶圆(10),所述晶圆(10)上设有多个垂直相交的激光切割线(11);预备一劈裂装置(20),所述劈裂装置(20)具有一劈刀(21)、一工作台(22)与两个相对移动的劈裂台(23),所述晶圆(10)置于所述工作台(22)与所述两个劈裂台(23)上,且所述劈刀(21)正对所述两个劈裂台(23)的间隙(30);执行劈裂作业,通过所述劈刀(21)对所述激光切割线(11)进行劈裂动作,且在所述劈刀(21)对所述多个激光切割线(11)的任一个进行劈裂后,使所述劈裂装置(20)选择是否改变所述两个劈裂台(23)的间隙(30)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造