[发明专利]掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 201110071323.6 | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102181931A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 丁雨憧;赵广军;董勤;陈建玉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B15/00;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法，该晶体的分子式为：(ErxLu1-x)2SiO5，其中x的取值范围为0.005～0.01。采用熔体法生长掺铒硅酸镥激光晶体。本发明掺铒硅酸镥激光晶体可以采用商业化的InP激光二极管和铒光纤激光器作为泵浦光源，并具有大的发射带宽，有利于实现宽的波长调谐。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺铒硅酸镥激光晶体，其特征在于该晶体的分子式为：(ErxLu1‑x)2SiO5，其中x的取值范围为0.005～0.01。
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