[发明专利]一种氢化IMO薄膜或IWO透明导电薄膜的制备方法

摘要

一种氢化IMO薄膜或IWO透明导电薄膜的制备方法，利用磁控溅射镀膜技术制备，用陶瓷靶In2O3:MoO3或In2O3:WO3作为靶材原料，基片为玻璃衬底或聚酰亚胺衬底，溅射气体为Ar气，溅射过程中引入H2，薄膜厚度为80-200nm。本发明利用磁控溅射技术生长IMO或者IWO薄膜，在溅射过程中，引入H2，制备氢化IMO薄膜或氢化IWO透明导电薄膜，可有效提高薄膜的光电性能。检测表明：该薄膜的电阻率为2.0-8.0×10-4Ωcm，电子迁移率为30-120cm2V-1s-1，可见光和近红外区域平均透过率可达80-90%。该氢化IMO或氢化IWO透明导电薄膜应用于非晶硅/微晶硅薄膜太阳电池。

主权项

一种氢化IMO薄膜或IWO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：利用磁控溅射镀膜技术制备，用纯度为99.995%的陶瓷靶In2O3:MoO3或In2O3:WO3作为靶材原料，陶瓷靶中靶材组分MoO3或WO3的重量百分比为 0.5‑5.0%；基片为玻璃衬底或聚酰亚胺衬底，衬底温度为室温‑300℃；溅射气体为Ar气，溅射气压为3.0‑5.5mTorr，溅射过程中引入H2流量为0sccm至50sccm，薄膜厚度为80‑200nm。