[发明专利]靶材的制造方法及系统有效
| 申请号： | 201110072318.7 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102691042A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张继凯;万冀豫;吴洪江;林承武 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;G01B21/18 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;姜精斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种靶材的制造方法及系统，属于薄膜场效应晶体管液晶显示器领域。其中，该靶材的制造方法包括：通过质量测定模块获取靶材的刻蚀质量以及未使用前的原始质量；通过处理模块和深度测定模块确定所述靶材的相对刻蚀深度；所述处理模块根据所述刻蚀质量和所述相对刻蚀深度计算得出所述靶材的相对刻蚀质量；所述处理模块根据所述相对刻蚀质量和所述靶材未使用前的原始质量，确定所述靶材的利用参数；处理模块对所述靶材的利用参数进行模拟优化，在利用参数达到预设值时，重新确定对应的靶材参数，并输出所述靶材参数给生产控制中心。本发明实施例可以综合反映靶材的利用效果，优化靶材的设计。本发明的技术方案适用于ITO溅射中对靶材的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种靶材的制造方法，其特征在于，包括：通过质量测定模块获取靶材的刻蚀质量以及未使用前的原始质量；通过处理模块确定所述靶材的相对刻蚀深度；所述处理模块根据所述刻蚀质量和所述相对刻蚀深度计算得出所述靶材的相对刻蚀质量；所述处理模块根据所述相对刻蚀质量和所述靶材未使用前的原始质量，确定所述靶材的利用参数；所述处理模块对所述靶材的利用参数进行模拟优化，在所述利用参数达到预设值时，重新确定对应的靶材参数，并输出所述靶材参数给生产控制中心。
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