[发明专利]泡生法制备大尺寸蓝宝石单晶过程中引晶形态的控制方法

摘要

本发明提供了一种泡生法制备大尺寸蓝宝石单晶过程中引晶形态的控制方法。本发明在生长大尺寸蓝宝石晶体过程中，完成准备工作、烘烤籽晶、缩径、多次引晶四部分工艺过程，本发明在原有泡生法引晶方法基础上进行了很大改进，具有生长晶体品质更高，尺寸更大，晶体生长成功率更高等优点。

主权项

一种泡生法制备大尺寸蓝宝石单晶过程中引晶形态的控制方法，其特征在于所述的控制方法工艺过程具体步骤为：（1）准备工作步骤：将高纯氧化铝原料装入单晶炉坩埚内，在籽晶杆上安装好籽晶，关闭单晶炉盖，启动冷却水循环系统并启动真空系统，然后启动加热系统，调节加热电压使原料全部熔化并达到液面对流状态稳定状态；（2）烘烤籽晶步骤：调低籽晶杆高度，使籽晶下端逐渐接近液面烘烤籽晶，并使籽晶下端温度逐渐升高接近熔体表面温度；（3）缩径步骤：调低籽晶杆高度使籽晶插入熔体液面以下稳定后，旋转籽晶杆并调节加热电压升温，籽晶开始熔化后，调节加热电压降温，停止旋转籽晶杆；（4）多次引晶步骤：向上提拉并旋转籽晶杆，同时调节加热电压降温，部分熔体开始在籽晶周围结晶，完成第一次引晶，稳定后再旋转籽晶杆，调节加热电压升温，完成第二次缩径；再向上提拉并旋转籽晶杆，同时调节加热电压降温，进行第二次引晶，经过3‑10次引晶后形成引晶末段，完成引晶形态。