[发明专利]紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及雪崩管成像阵列有效

专利信息
申请号: 201110072753.X 申请日: 2011-03-24
公开(公告)号: CN102184929A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 吴福伟;闫锋 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人: 周静
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及由其组成的雪崩管成像阵列。所述紫外光雪崩管成像阵列像元由多个雪崩管探测器并联而成,所述雪崩管探测器由光电二极管、薄膜电阻、金属层顺序连接而成,每个雪崩管探测器中,光电二极管的n型半导体与接触电极连接,成像像元中各个雪崩管探测器的接触电极之间形成电连接作为一个电极,各个雪崩管探测器共用一块完整的金属层,金属层形成紫外光雪崩管成像阵列像元的另一个电极。所述所述雪崩管成像阵列,由多个所述的紫外光雪崩管成像阵列像元组成。本发明的有效效果为:克服了材料本身缺陷密度大而造成的良率过低的问题,该新型结构紫外光雪崩管成像阵列像元良率可以接近并达到100%。
搜索关键词: 紫外光 雪崩 成像 阵列 应用 方法
【主权项】:
一种紫外光雪崩管成像阵列像元,其特征在于由多个雪崩管探测器并联而成,所述雪崩管探测器由光电二极管、薄膜电阻、金属层顺序连接而成,每个雪崩管探测器中,光电二极管的n型半导体与接触电极连接,成像像元中各个雪崩管探测器的接触电极之间形成电连接作为一个电极,各个雪崩管探测器共用一块完整的金属层,金属层形成紫外光雪崩管成像阵列像元的另一个电极。
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