[发明专利]紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及雪崩管成像阵列有效
申请号: | 201110072753.X | 申请日: | 2011-03-24 |
公开(公告)号: | CN102184929A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 吴福伟;闫锋 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 周静 |
地址: | 210093 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及由其组成的雪崩管成像阵列。所述紫外光雪崩管成像阵列像元由多个雪崩管探测器并联而成,所述雪崩管探测器由光电二极管、薄膜电阻、金属层顺序连接而成,每个雪崩管探测器中,光电二极管的n型半导体与接触电极连接,成像像元中各个雪崩管探测器的接触电极之间形成电连接作为一个电极,各个雪崩管探测器共用一块完整的金属层,金属层形成紫外光雪崩管成像阵列像元的另一个电极。所述所述雪崩管成像阵列,由多个所述的紫外光雪崩管成像阵列像元组成。本发明的有效效果为:克服了材料本身缺陷密度大而造成的良率过低的问题,该新型结构紫外光雪崩管成像阵列像元良率可以接近并达到100%。 | ||
搜索关键词: | 紫外光 雪崩 成像 阵列 应用 方法 | ||
【主权项】:
一种紫外光雪崩管成像阵列像元,其特征在于由多个雪崩管探测器并联而成,所述雪崩管探测器由光电二极管、薄膜电阻、金属层顺序连接而成,每个雪崩管探测器中,光电二极管的n型半导体与接触电极连接,成像像元中各个雪崩管探测器的接触电极之间形成电连接作为一个电极,各个雪崩管探测器共用一块完整的金属层,金属层形成紫外光雪崩管成像阵列像元的另一个电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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