[发明专利]一种可编程存储器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种可编程存储器及其制造方法，所述存储器包括CMOS管和可变电阻；CMOS管包括硅衬底、隔离层、源极区、漏极区、栅极区、第一电极和第二电极；硅衬底位于隔离层之下，源极区和漏极区位于硅衬底内的上两侧；栅极区位于隔离层内的下侧，栅极区的两端与源极区和漏极区连接；隔离层的两侧内置竖直方向的第一通孔和第二通孔；第一通孔下端与源极区相连，第一通孔内为由金属材料构成的第一电极；第二通孔下端与漏极区相连，第二通孔内的上半部分为由金属材料构成的第二电极，第二通孔内的下半部分为由阻变材料构成的可变电阻。本发明的存储器能够实现可编程的寻址操作，并且该存储器的制造方法可以兼容于现有的CMOS工艺制程。

主权项

一种可编程存储器，其特征在于，包括：CMOS管和可变电阻；所述CMOS管包括：硅衬底、隔离层、源极区、漏极区、栅极区、第一电极和第二电极；其中，所述硅衬底位于隔离层之下，所述源极区和漏极区分别位于硅衬底内的上方两侧；所述栅极区位于隔离层内的下侧，栅极区的两端分别与源极区和漏极区连接；隔离层的两侧分别内置竖直方向的第一通孔和第二通孔；所述第一通孔的下端与源极区相连，第一通孔内为由金属材料构成的第一电极；所述第二通孔的下端与漏极区相连，第二通孔内的上半部分为由金属材料构成的第二电极，第二通孔内的下半部分为由阻变材料构成的可变电阻。