[发明专利]一种控制硅纳米线生长长度的方法无效
| 申请号： | 201110073597.9 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102181939A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘艳丽;王志亮;陈云;马殿飞;刘春冉;侯慧娜;于江江;郑小东;张健 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06;C30B29/62;C23F1/24 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利事务所 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制硅纳米线生长长度的方法，该方法使用水浴锅加热控制硅纳米线生长温度，通过控制温度来控制纳米线生长的长度。以解决现有湿法腐蚀制备硅纳米线中所存在的不易生成大长宽比硅纳米线的问题。且工艺简单可靠、成本低、可批量生产，为制备以不同长宽比硅纳米线为基础的纳米器件奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 纳米 生长 长度 方法 | ||
【主权项】：
一种控制硅纳米线生长长度的方法，其特征在于该方法包括以下具体步骤：a、取N型100晶向、尺寸为0.5～1cm双面抛光硅片，采用RCA标准清洗流程进行清洗；b、配置刻蚀剂：刻蚀剂的成分配比为35mmol/L的硝酸银和浓度为20%的氢氟酸的混合溶液；其中：氢氟酸和去离子水的体积比为1∶4；c、将水浴锅温度设定为20～70℃，将盛有刻蚀剂溶液的塑料反应器放入水浴锅中，待温度稳定时将清洗后的双面抛光硅片置入塑料反应器中，其中：硅片反应面积每cm2至少配置30ml刻蚀剂；d、反应1小时后取出，放入浓度为65～68%的硝酸溶液中反应30秒，去除硅片表面的银，再用去离子水清洗，室温下晾干，在硅片上生长有不同长度的硅纳米线。
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