[发明专利]清洁气体输送装置的方法、生长薄膜的方法及反应装置有效
申请号: | 201110073624.2 | 申请日: | 2011-03-25 |
公开(公告)号: | CN102251228A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 杜志游;荒见淳一;孙一军 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/34;B08B9/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种清洁一薄膜生长反应腔内的一气体输送装置的方法,所述气体输送装置包括一气体输送表面,用于向所述反应腔内释放反应气体,所述反应腔内包括一支撑装置,所述方法包括:a)提供一清洁装置,并使之可分离地安装在所述支撑装置上,所述清洁装置包括一面向所述气体输送表面的一表面,所述表面上分布有若干刮擦结构;b)提供一旋转驱动装置,其与所述支撑装置相连接,并可选择性地带动其旋转;c)调整所述清洁装置的位置,使所述刮擦结构至少部分地接触所述气体输送装置的所述气体输送表面;d)旋转所述旋转驱动装置以带动所述清洁装置旋转,所述刮擦结构接触所述气体输送表面,并将附着在所述气体输送表面上的附着聚集物移除下来。 | ||
搜索关键词: | 清洁 气体 输送 装置 方法 生长 薄膜 反应 | ||
【主权项】:
一种清洁一薄膜生长反应腔内的一气体输送装置的方法,所述气体输送装置包括一气体输送表面,用于向所述反应腔内释放反应气体,所述反应腔内包括一支撑装置,其特征在于,所述方法包括:a)提供一清洁装置,并使之可分离地安装在所述支撑装置上,所述清洁装置包括一面向所述气体输送表面的一表面,所述表面上分布有若干刮擦结构;b)调整所述清洁装置的位置,使所述刮擦结构至少部分地接触所述气体输送装置的所述气体输送表面,旋转所述清洁装置,所述刮擦结构接触所述气体输送表面,并将附着在所述气体输送表面上的附着聚集物移除下来。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的