[发明专利]清洁气体输送装置的方法、生长薄膜的方法及反应装置有效

专利信息
申请号: 201110073624.2 申请日: 2011-03-25
公开(公告)号: CN102251228A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 杜志游;荒见淳一;孙一军 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/34;B08B9/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种清洁一薄膜生长反应腔内的一气体输送装置的方法,所述气体输送装置包括一气体输送表面,用于向所述反应腔内释放反应气体,所述反应腔内包括一支撑装置,所述方法包括:a)提供一清洁装置,并使之可分离地安装在所述支撑装置上,所述清洁装置包括一面向所述气体输送表面的一表面,所述表面上分布有若干刮擦结构;b)提供一旋转驱动装置,其与所述支撑装置相连接,并可选择性地带动其旋转;c)调整所述清洁装置的位置,使所述刮擦结构至少部分地接触所述气体输送装置的所述气体输送表面;d)旋转所述旋转驱动装置以带动所述清洁装置旋转,所述刮擦结构接触所述气体输送表面,并将附着在所述气体输送表面上的附着聚集物移除下来。
搜索关键词: 清洁 气体 输送 装置 方法 生长 薄膜 反应
【主权项】:
一种清洁一薄膜生长反应腔内的一气体输送装置的方法,所述气体输送装置包括一气体输送表面,用于向所述反应腔内释放反应气体,所述反应腔内包括一支撑装置,其特征在于,所述方法包括:a)提供一清洁装置,并使之可分离地安装在所述支撑装置上,所述清洁装置包括一面向所述气体输送表面的一表面,所述表面上分布有若干刮擦结构;b)调整所述清洁装置的位置,使所述刮擦结构至少部分地接触所述气体输送装置的所述气体输送表面,旋转所述清洁装置,所述刮擦结构接触所述气体输送表面,并将附着在所述气体输送表面上的附着聚集物移除下来。
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