[发明专利]Cu2ZnSnS4/a-Si异质结太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201110074145.2 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103094373A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 沈鸿烈;江丰;王威;张磊 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/075;H01L31/074;H01L31/20 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明一种Cu2ZnSnS4/α-Si异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件设计及新材料技术领域。该电池包括2种结构。第一种结构为由p型层、i型层和n型层构成异质p-i-n结，其中p型层为CZTS，其特征在于：i型层和n型层都为α-Si，n型层上还沉积有透明导电电极。第二种结构为由p型层和n型层构成异质p-n结，其中p型层为CZTS，其特征在于：n型层为α-Si，n型层上还沉积有透明导电电极。本发明制备的太阳能电池结构新颖且完全无毒廉价，具有广阔的应用前景和很大的商业价值。 | ||
| 搜索关键词： | cu sub znsns si 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Cu2ZnSnS4/α‑Si异质结太阳能电池；结构包括p型层和n型层构成的异质p‑n结，其中p型层为CZTS，其特征在于：n型层为α‑Si，n型层上还沉积有透明导电电极。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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