[发明专利]一种以黑硅材料为光敏层的背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法

摘要

一种以黑硅材料为光敏层的背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述光电探测器包括硅本征衬底、位于硅本征衬底正面中央的P型区、位于硅本征衬底正面四周的环形P+区、位于硅本征衬底背面的N型黑硅层、位于P型区和P+区上表面的上电极，以及位于N型黑硅层下表面两侧的下电极。本发明以黑硅材料为光敏层，同时在P型区2四周增加了环形P+区3，使得本发明能够吸收近红外波段光波，比传统Si光电探测器具有更高的光吸收率和更宽的响应波段，且制备工艺较为简单，具有成本低、易于集成、响应速度快、响应度高和响应波段宽的特点，在大规模市场化方面具有明显的优势。

主权项

一种以黑硅材料为光敏层的背照式Si‑PIN光电探测器，包括硅本征衬底(1)、位于硅本征衬底(1)正面中央的P型区(2)、位于硅本征衬底(1)正面四周的环形P+区(3)、位于硅本征衬底(1)背面的N型黑硅层(4)、位于P型区(2)和P+区(3)上表面的上电极(5)，以及位于N型黑硅层(4)下表面两侧的下电极(6)；其中P+区(3)的结深大于P型区(2)的结深。