[发明专利]内部电源电压生成电路无效
| 申请号： | 201110074553.8 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102207743A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 杉浦正一 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/08 | 分类号： | G05F3/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种内部电源电压生成电路，其中，被提供内部电源电压的逻辑电路的贯通电流与电源电压无关。作为解决手段，基准电压(VREF)是基于电流源(1)的恒定电流而与电源电压(VDD)无关地生成的，内部电源电压(DVDD)是通过源极跟随器，基于基准电压(VREF)而与电源电压(VDD)无关地生成的。基于内部电源电压(DVDD)而流起逻辑电路(9)的贯通电流。因此，逻辑电路(9)的贯通电流与电源电压(VDD)无关。另外，内部电源电压(DVDD)是逻辑电路(9)能够按照规格进行工作的最低限度的逻辑电路(9)用的电源电压。因而逻辑电路(9)的贯通电流小。 | ||
| 搜索关键词： | 内部 电源 电压 生成 电路 | ||
【主权项】：
一种内部电源电压生成电路，其生成内部电源端子的内部电源电压，将所述内部电源电压提供给逻辑电路，其特征在于，该内部电源电压生成电路具有：电压生成电路，其具备以二极管方式连接的PMOS晶体管以及以二极管方式连接的第一NMOS晶体管；电流源，其设置于电源端子与所述电压生成电路之间；以及第二NMOS晶体管，其以源极跟随器的方式连接在所述电源端子与所述内部电源端子之间，且其栅极连接到所述电流源与所述电压生成电路之间的连接点而被输入基准电压，所述PMOS晶体管是通过与所述逻辑电路内部的PMOS晶体管相同的制造工艺形成的，所述第一NMOS晶体管是通过与所述逻辑电路内部的NMOS晶体管相同的制造工艺形成的。
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