[发明专利]分级给氧气流床气化炉及其气化方法有效

专利信息
申请号: 201110074557.6 申请日: 2011-05-06
公开(公告)号: CN102433162A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 刘海峰;代正华;许建良;周志杰;李伟锋;梁钦锋;郭晓镭;郭庆华;龚欣;于广锁;王辅臣;王亦飞;陈雪莉;王兴军;刘霞 申请(专利权)人: 华东理工大学
主分类号: C10J3/46 分类号: C10J3/46;C10J3/48;C10J3/50;C10J3/72;C01B3/36;C01B3/34
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 薛琦;钟华
地址: 200237 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种分级给氧气流床气化炉,包括气化炉主体、合成气出口、排渣口、集渣池,以及至少两个内设工艺喷嘴的工艺喷嘴室,所述气流床气化炉还包括至少两个内设二次给氧喷嘴的二次给氧喷嘴室,所述二次给氧喷嘴室设置于所述工艺喷嘴室和所述集渣池之间,并对称布置于所述气化炉主体四周,所述二次给氧喷嘴安装在所述二次给氧喷嘴室内。本法还提供了该气流床气化炉的气化方法,在反应过程中对二次给氧喷嘴通入氧化剂,反应生成的粗煤气和液态渣分流。本发明采用合成气出口使气渣分流,从而降低合成气出口温度。适当通入二次氧化剂来提高气化炉渣口熔渣温度,从而大幅降低氧化剂消耗和原料消耗。
搜索关键词: 分级 氧气 气化 及其 方法
【主权项】:
一种分级给氧气流床气化炉,包括气化炉主体、一位于所述气化炉主体顶部的合成气出口、一位于气化炉主体底部的排渣口、套设于气化炉主体底部的集渣池,以及至少两个内设工艺喷嘴的工艺喷嘴室,所述工艺喷嘴室对称布置于所述气化炉主体的四周,所述工艺喷嘴安装在所述工艺喷嘴室内;其特征在于,所述气流床气化炉还包括至少两个内设二次给氧喷嘴的二次给氧喷嘴室,所述二次给氧喷嘴室设置于所述工艺喷嘴室和所述集渣池之间,并对称布置于所述气化炉主体四周,所述二次给氧喷嘴安装在所述二次给氧喷嘴室内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东理工大学,未经华东理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110074557.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top