[发明专利]热稳定性镍基硅化物源漏MOSFETs及其制造方法有效
| 申请号： | 201110074604.7 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102693917A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种热稳定性镍基金属硅化物源漏MOSFETs及其制造方法，包括：衬底、位于所述衬底中的沟道区、位于所述沟道区两侧的重结晶层、镍基金属硅化物源漏区、位于所述沟道区上的栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的隔离侧墙，其特征在于：所述镍基金属硅化物源漏区位于所述重结晶层上，所述重结晶层中包含掺杂离子。由于采用了预非晶化再注入掺杂离子随后再退火重结晶的工艺，使得注入的掺杂离子被类似于“固定”或“冻结”在重结晶层中，在稍后的镍基金属硅化物形成过程中，这些掺杂离子不会因为离子注入时经常发生的隧道效应而进入沟道区其他部分，同时也大幅提高了镍基金属硅化物源漏区的热稳定性，且不会恶化器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 热稳定性 镍基硅化物源漏 mosfets 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造热稳定性镍基金属硅化物源漏MOSFETs的方法，包括：在栅极结构和隔离侧墙两侧的衬底中形成非晶层；对所述非晶层进行掺杂离子注入；执行第一退火以形成重结晶层，所述掺杂离子固定在所述重结晶层内；以及在所述重结晶层上形成镍基金属硅化物源漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
