[发明专利]一种具备可裂解性铜衬底发光二极管的制备方法有效
申请号: | 201110075093.0 | 申请日: | 2011-03-28 |
公开(公告)号: | CN102709406A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 张华东;康学军;郭德博;刘刚 | 申请(专利权)人: | 同方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
一种具备可裂解性铜衬底发光二极管的制备方法,涉及制备大功率垂直结构GaN基发光二极管中衬底转移技术领域。本发明包括如下步骤: |
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搜索关键词: | 一种 具备 裂解 衬底 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具备可裂解性铜衬底发光二极管的制备方法,它包括如下步骤:
采用金属有机物化学气相沉积方法在蓝宝石衬底(101)上依次生长N型GaN半导体层(102)、量子阱有源层(103)和P型GaN半导体层(104);在P型GaN半导体层(104)上蒸镀金属镜子反射层(105),并在氮气的环境下退火使金属镜子反射层(105)与P型GaN半导体层(104)之间形成欧姆接触;
在金属镜子反射层(105)及P型GaN半导体层(104)之上溅射上金属作为种子层(106);
在种子层(106)上方,通过高分辨光刻技术在将来需要进行裂片的部位涂覆厚光刻胶(107);
进行一次电镀形成与光刻胶(107)厚度接近的一次电镀层(108);
对器件上表面进行研磨和抛光,将一次电镀层(108)和光刻胶(107)研磨至统一的高度;
在器件上表面进行二次电镀形成二次电镀层(109);
在裂片过程中,用机械切割的方法沿光刻胶(107)的位置切割,得到垂直结构的LED芯粒。
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