[发明专利]一种具备可裂解性铜衬底发光二极管的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110075093.0 申请日: 2011-03-28
公开(公告)号: CN102709406A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 张华东;康学军;郭德博;刘刚 申请(专利权)人: 同方光电科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/02;H01L33/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种具备可裂解性铜衬底发光二极管的制备方法,涉及制备大功率垂直结构GaN基发光二极管中衬底转移技术领域。本发明包括如下步骤:在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN半导体层、量子阱有源层和P型GaN半导体层;在P型GaN半导体层上蒸镀金属镜子反射层;在金属镜子反射层及P型GaN半导体层之上溅射上金属作为种子层;在种子层上方涂覆厚光刻胶;进行一次电镀形成与光刻胶厚度接近的一次电镀层;对器件上表面进行研磨和抛光;在器件上表面进行二次电镀形成二次电镀层;沿光刻胶的位置切割,得到垂直结构的LED芯粒。本发明原料易得、成本低廉、制备工艺简单,能够实现规模化生产。
搜索关键词: 一种 具备 裂解 衬底 发光二极管 制备 方法
【主权项】:
1.一种具备可裂解性铜衬底发光二极管的制备方法,它包括如下步骤:采用金属有机物化学气相沉积方法在蓝宝石衬底(101)上依次生长N型GaN半导体层(102)、量子阱有源层(103)和P型GaN半导体层(104);在P型GaN半导体层(104)上蒸镀金属镜子反射层(105),并在氮气的环境下退火使金属镜子反射层(105)与P型GaN半导体层(104)之间形成欧姆接触;在金属镜子反射层(105)及P型GaN半导体层(104)之上溅射上金属作为种子层(106);在种子层(106)上方,通过高分辨光刻技术在将来需要进行裂片的部位涂覆厚光刻胶(107);进行一次电镀形成与光刻胶(107)厚度接近的一次电镀层(108);对器件上表面进行研磨和抛光,将一次电镀层(108)和光刻胶(107)研磨至统一的高度;在器件上表面进行二次电镀形成二次电镀层(109);在裂片过程中,用机械切割的方法沿光刻胶(107)的位置切割,得到垂直结构的LED芯粒。
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