[发明专利]ITO/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110075579.4 申请日: 2011-03-29
公开(公告)号: CN102169943A 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 王万晶;张建华;李喜峰 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L33/42 分类号: H01L33/42;H01L33/00
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种ITO/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制作工艺。本发光二极管包括:在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和ITO/氧化锌基复合电流扩展层、n型金属电极(PAD)连接n型氮化镓,p型金属电极(PAD)连接ITO/氧化锌复合透明电流扩展层。其制作方法是:缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓在MOCVD中依次生长完毕;ITO/氧化锌复合电流扩展层是用电子束蒸镀、磁控溅射依次将ITO薄膜、氧化锌薄膜沉积在p型氮化镓表面;用干法刻蚀暴露出n型氮化镓,退火后利用热蒸发生长金属电极。芯片尺寸为1mm×1mm,此种复合透明电极改善了p-GaN与电极层之间的接触,提高了LED芯片的光提取效率,提高了LED芯片的可靠性。
搜索关键词: ito 氧化锌 复合 透明 电极 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
一种ITO/氧化锌基复合透明电极发光二极管,包括:蓝宝石衬底(1)、缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6)、透明电极(7),n型金属电极(8)连接n型氮化镓(4)、p型金属电极(9)连接透明电极(7),其中缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6)是在MOCVD中依次生长完毕;其特征在于,所述透明电极(7)是ITO/氧化锌基透明导电薄膜,其中ITO透明导电薄膜的材质是Sn2O3:In2O3=1:9的铟锡氧化物,氧化锌基透明导电薄膜的材质是ZnO:Ga或ZnO:Al或ZnO:In;所述n型金属电极(8)是金属复合电极,材质是Ti/Al或Cr/Pt/Au;所述p型金属电极(9)是金属复合电极,材质是Ni/Au或Cr/Pt/Au。
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