[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201110075612.3 | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102208512A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 海野恒弘 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;李昆岐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管，克服了因大电流引起的各种问题，实现高亮度化或高输出化，且改善线路体系或电极等结构而提高光取出效率。每个LED元件(21)从下层开始依次形成分开设置的第1晶片接合用电极(10a)和第2晶片接合用电极(10b)、透明绝缘层(7)、第1半导体层(4)、活性层(3)和第2半导体层(2)，同时，具有设置成贯通透明绝缘层(7)且将第1半导体层(4)和第1晶片接合用电极(10a)电连接的第1接触部(5)、设置成在电绝缘状态下贯通透明绝缘层(7)和第1半导体层(4)以及活性层(3)且将第2半导体层(2)和第2晶片接合用电极(10b)电连接的第2接触部(6)，第1晶片接合用电极(10a)和第2晶片接合用电极(10b)分别与衬底(14)上的芯片接合用电极(12)相连。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，具有在表面设置芯片接合用电极的衬底以及在上述衬底上设置的发光二极管芯片；上述发光二极管芯片从下层开始依次形成：分开设置的第1晶片接合用电极和第2晶片接合用电极、透明绝缘层、第1半导体层、活性层、第2半导体层，同时，上述发光二极管芯片具有：设置成贯通上述透明绝缘层并且将上述第1半导体层和上述第1晶片接合用电极电连接的第1接触部、设置成以电绝缘的状态贯通上述透明绝缘层和上述第1半导体层以及上述活性层并且将上述第2半导体层和上述第2晶片接合用电极电连接的第2接触部；且上述发光二极管芯片的上述第1晶片接合用电极和上述第2晶片接合用电极分别在上述衬底上的上述芯片接合用电极上倒装接合。
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