[发明专利]晶片型温度探测传感器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110075694.1 申请日: 2011-03-23
公开(公告)号: CN102235917A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 东广大;林圣人;石田寿树 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: G01K5/48 分类号: G01K5/48;H01L21/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 章蕾
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种能够在晶片面内对晶片更准确地进行温度探测的晶片型温度探测传感器。晶片型温度探测传感器(21)包括:电路基板(22),贴附在温度探测用晶片(16)的上表面(18);温度探测单元(23),搭载在电路基板(22)上,对温度探测用晶片(16)的温度进行探测;晶片数据通信单元(24),搭载在电路基板(22)上,能将温度探测单元(23)所探测到的温度探测用晶片(16)的温度数据,发送到温度探测用晶片(16)的外部;及温度数据检测部(28),设置成嵌入在温度探测用晶片(16)的上表面(18)内的多个不同部位,检测出所嵌入的各位置上的与温度相关的数据。这里,电路基板(22)的线膨胀系数和温度探测用晶片(16)的线膨胀系数等同。
搜索关键词: 晶片 温度 探测 传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种晶片型温度探测传感器,其特征在于包括:温度探测用晶片;电路基板,贴附在所述温度探测用晶片的一面;温度数据检测部,设置在所述温度探测用晶片的一面侧,检测与温度相关的数据;及温度探测单元,搭载在所述电路基板上,根据所述温度数据检测部所检测到的温度数据,探测所述温度探测用晶片的温度;且所述电路基板的线膨胀系数和所述温度探测用晶片的线膨胀系数等同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110075694.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top