[发明专利]固体摄像装置、制造固体摄像装置的方法和电子设备有效
申请号: | 201110075913.6 | 申请日: | 2011-03-24 |
公开(公告)号: | CN102208423A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 大理洋征龙;町田贵志;河村隆宏;十河康则 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;王维玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种固体摄像装置、其制造方法和电子设备。该固体摄像装置包括:形成于半导体基板的表面侧上的第二导电型的半导体区;具有第一导电型的杂质区并且用于根据入射光量产生电荷并在其内部累积电荷的光电转换元件;具有第一导电型的杂质区的电荷保持区,由光电转换元件通过光电转换产生的电荷保持在电荷保持区中直至被读出为止;中间传输路径;和杂质层,其具有布置在光电转换元件和电荷保持区之间并在中间传输路径下面的区域中的第二导电型的杂质区,并且杂质层的杂质浓度比第二导电型的半导体区高。本发明可得到高图像质量的图像,并且可制造能够产生具有高质量图像的固体摄像装置。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固体摄像装置,其包括:第二导电型的半导体区,其形成于半导体基板的表面侧上;光电转换元件,其具有第一导电型的杂质区,并且所述光电转换元件根据入射光量产生电荷并在其内部累积所述电荷;电荷保持区,其具有所述第一导电型的杂质区,并且由所述光电转换元件通过光电转换而产生的电荷保持在所述电荷保持区中,直至所述电荷被读出为止;中间传输路径,其具有布置在所述光电转换元件和所述电荷保持区之间的区域中的所述第一导电型的杂质区,并且只有在曝光时段期间由所述光电转换元件产生并且超出预定电荷量的电荷通过所述中间传输路径而传输至所述电荷保持区中;和杂质层,其具有布置在所述光电转换元件和所述电荷保持区之间并在所述中间传输路径下面的区域中的所述第二导电型的杂质区,并且所述杂质层的杂质浓度比所述第二导电型的半导体区的杂质浓度高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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