[发明专利]相变存储器的形成方法无效
| 申请号： | 201110076006.3 | 申请日： | 2011-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102709469A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 任万春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器的形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有金属布线层和第一层间介质层，所述第一层间介质层包围金属布线层，所述第一层间介质层内形成有与金属布线层连通的第一电极；在第一层间介质层及第一电极上形成第二层间介质层；在第一层间介质层和第二层间介质层内形成与金属布线层连通的导电插塞；在第二层间介质层上形成覆盖所述导电插塞的绝缘层；刻蚀绝缘层和第二层间介质层，形成沟槽；向沟槽内填充满相变材料，形成相变层；在绝缘层上形成金属层；刻蚀所述金属层和绝缘层，形成第二电极。本发明有效防止了平坦化相变层时发生腐蚀现象，提高了相变存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有金属布线层和第一层间介质层，所述第一层间介质层包围金属布线层，所述第一层间介质层内形成有与金属布线层连通的第一电极；在第一层间介质层及第一电极上形成第二层间介质层；在第一层间介质层和第二层间介质层内形成与金属布线层连通的导电插塞；在第二层间介质层上形成覆盖所述导电插塞的绝缘层；刻蚀绝缘层和第二层间介质层至露出第一电极，形成沟槽；向沟槽内填充满相变材料，形成相变层；在绝缘层上形成覆盖相变层的金属层；刻蚀所述金属层和绝缘层至露出第二层间介质层和导电插塞，形成第二电极，所述第二电极与相变层连通。
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