[发明专利]一种VDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201110076188.4 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102723363A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 朱超群;钟树理;任文珍;曾爱平;陈宇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VDMOS器件及其制作方法，VDMOS器件包括：第一导电类型衬底，在其背面设置有漏极；第一导电类型漂移区，设置在第一导电类型衬底上；第二导电类型阱区，其在第一导电类型漂移区的表面区域选择性的形成，与第一导电类型漂移区的导电类型相反；第一导电类型源区，设置在第二导电类型阱区内；栅极，位于第一导电类型漂移区上并部分覆盖第二导电类型阱区和第一导电类型源区；肖特基接触，设置在第一导电类型漂移区上并位于栅极区域中。形成的肖特基接触位于栅极区域内并在第一导电类型漂移区上，在不增加器件整体尺寸、不增大器件导通电阻的情况下，提高了VDMOS器件结构中包含的体二极管的恢复速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底，在其背面设置有漏极；第一导电类型漂移区，设置在第一导电类型衬底上；第二导电类型阱区，其在第一导电类型漂移区的表面区域选择性的形成，与第一导电类型漂移区的导电类型相反；第一导电类型源区，设置在第二导电类型阱区内；栅极，位于第一导电类型漂移区上并部分覆盖第二导电类型阱区和第一导电类型源区；肖特基接触，设置在第一导电类型漂移区上并位于栅极区域中。
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